25n120G是一款常見的IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)芯片,其極電壓是1200伏。IGBT是一種結(jié)合了普通雙極晶體管和MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的優(yōu)點(diǎn)的晶體管,具有低導(dǎo)通電阻和高耐受電壓的優(yōu)點(diǎn)。在許多高壓和高功率的電子設(shè)備中,IGBT都是不可或缺的元件之一。25n120G的極電壓高達(dá)1200伏,能夠承受相當(dāng)大的電壓沖擊和壓力,使用時(shí)需嚴(yán)格按照規(guī)定操作,以確保設(shè)備的安全和穩(wěn)定性。
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